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三星量产eMRAM存储器 读写速度比eFlash快1000倍

2019-03-21 23:24:24 游民星空 尹晓峰 分享

三星昨天宣布,它将使用自己的28FDS(28nm FD-SOI,绝缘体耗尽型硅)工艺正式批量生产第一款商用eMRAM(嵌入式磁性随机存取存储器)。

在常用的eFlash闪存技术的瓶颈中,这种基于电荷存储的存储已开始下降。作为基于电阻的存储方法,eMRAM在非易失性和随机访问方面具有比eFlash更好的性能。

eMRAM使用磁阻的变化来表示二进制0或1,并且通过测量存储器单元的电阻来执行读取操作。该芯片具有SRAM的高速读取能力和DRAM的高集成度。同时,由于其特殊的储存方式,它还具有非常高的P/E倍数。可以说是未来最好的存储芯片选择。三星声称其基于28MDS的eMRAM技术可降低成本和功耗,并具有写入速度的优势。其物理特性决定了在写入数据之前不需要擦除周期,写入速度比当前的eFlash快1000倍。 eMRAM的工作电压低于eFlash,因此功耗较低。

TR 三星展示了eMRAM结构

TR 它是如何工作的

三星之所以可以控制eMRAM的成本,是因为它们可以轻松地与现有的逻辑芯片制造工艺集成,并且只需要在流程的后端添加几层即可完成制造流程。这种模块化设计使您可以享受现有制造工艺的低成本优势,同时享受新技术的性能提升。

三星宣布今年将扩大其高密度非易失性存储器解决方案的选择范围,包括今年推出1Gb eMRAM测试芯片。在此之前,英特尔还宣布他们还准备大规模生产eMRAM芯片。随着存储器制造商逐渐开始大规模生产eMRAM芯片,我们将在不久的将来能够使用这种低功耗,高性能的存储器芯片。

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